Micron Technology Inc. NAND256W3A2BZAXE
- 收藏
- 对比
NAND256W3A2BZAXE
1616-NAND256W3A2BZAXE
存储器
55-TFBGA
大陆
立即发货

IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA
--最小包装量--
NAND256W3A2BZAXE详情
Micron Technology Inc. NAND256W3A2BZAXE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
55-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
55
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
55
电压 - 额定直流
3.3V
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.8mm
基本部件号
NAND256
工作电源电压
3V
电压
3.3V
内存大小
256Mb 32M x 8
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
32MX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
50ns
地址总线宽度
25b
密度
256 Mb
待机电流-最大值
0.00005A
访问时间(最大)
45 ns
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
2K
行业规模
16K
页面尺寸
528B
准备就绪/忙碌
YES
长度
10mm
座位高度(最大)
1.05mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NAND256W3A2BZAXE拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.







哦! 它是空的。