Micron Technology Inc. NAND512R3A2SE06
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NAND512R3A2SE06
1616-NAND512R3A2SE06
存储器
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IC FLASH 512M PARALLEL
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NAND512R3A2SE06详情
Micron Technology Inc. NAND512R3A2SE06重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Bulk
已出版
2013
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
电压 - 供电
1.7V~1.95V
界面
Parallel
内存大小
512Mb 64M x 8
访问时间
50ns
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
50ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NAND512R3A2SE06拓展信息
Micron Technology Inc.
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