Micron Technology Inc. NAND512R3A2SZA6E
- 收藏
- 对比
NAND512R3A2SZA6E
1616-NAND512R3A2SZA6E
存储器
63-TFBGA
大陆
立即发货

SLC NAND Flash Parallel 1.8V 512Mbit 64M x 8bit 15us 63-Pin VFBGA Tray
1最小包装量--
NAND512R3A2SZA6E详情
Micron Technology Inc. NAND512R3A2SZA6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
63-TFBGA
引脚数
63
Memory Types
Non-Volatile
Current - Supply (Nom)
15mA
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2011
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
63
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 额定直流
1.8V
电压 - 供电
1.8V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
NAND512
电压
1.8V
内存大小
512Mb 64M x 8
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
64MX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
50ns
地址总线宽度
26b
密度
512 Mb
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
页面尺寸
512B
环境温度范围高
85°C
高度
1.05mm
长度
11mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NAND512R3A2SZA6E拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.








哦! 它是空的。