Micron Technology Inc. NAND512R3A2SZA6F

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

63-TFBGA

引脚数

63

Memory Types

Non-Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Bulk

已出版

2012

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

63

电压 - 额定直流

3.3V

电压 - 供电

1.7V~1.95V

端子位置

BOTTOM

功能数量

1

电源电压

1.8V

端子间距

0.8mm

工作电源电压

1.8V

电压

3.3V

内存大小

512Mb 64M x 8

电源电流

15mA

内存格式

FLASH

内存接口

Parallel

组织结构

64MX8

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

50ns

地址总线宽度

26b

密度

512 Mb

待机电流-最大值

0.00005A

访问时间（最大）

45 ns

同步/异步

Asynchronous

字长

8b

数据轮询

NO

拨动位

NO

命令用户界面

YES

扇区/尺寸数

4K

行业规模

16K

页面尺寸

512B

准备就绪/忙碌

YES

长度

11mm

座位高度(最大)

1.05mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant