Micron Technology Inc. NAND512W3A2SZAXE
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NAND512W3A2SZAXE
1616-NAND512W3A2SZAXE
存储器
63-TFBGA
大陆
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IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
1最小包装量--
NAND512W3A2SZAXE详情
Micron Technology Inc. NAND512W3A2SZAXE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
63-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
63
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2012
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
63
电压 - 额定直流
3.3V
电压 - 供电
3V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
端子间距
0.8mm
基本部件号
NAND512
电压
3.3V
内存大小
512Mb 64M x 8
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
64MX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
50ns
地址总线宽度
26b
密度
512 Mb
待机电流-最大值
0.00005A
访问时间(最大)
35 ns
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
4K
行业规模
16K
页面尺寸
528B
准备就绪/忙碌
YES
长度
11mm
座位高度(最大)
1.05mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NAND512W3A2SZAXE拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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