Micron Technology Inc. NP8P128AE3BSM60E
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NP8P128AE3BSM60E
1616-NP8P128AE3BSM60E
存储器
56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
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NVRAM PRAM Parallel 128M-Bit 3V/3.3V 56-Pin TSOP
--最小包装量--
NP8P128AE3BSM60E详情
Micron Technology Inc. NP8P128AE3BSM60E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
引脚数
56
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-30°C~85°C TC
包装
Tray
系列
Omneo™
已出版
2012
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
56
HTS代码
8542.32.00.71
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
DUAL
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.5mm
基本部件号
NP8P128A
引脚数量
56
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7V
界面
Parallel, SPI
内存大小
128Mb 16M x 8
内存格式
PCM (PRAM)
内存接口
Parallel, SPI
数据总线宽度
8b
组织结构
16MX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
135ns
密度
128 Mb
字长
8b
长度
18.4mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NP8P128AE3BSM60E拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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