Micron Technology Inc. TE28F128P33B85A
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TE28F128P33B85A
1616-TE28F128P33B85A
存储器
56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
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IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
1最小包装量--
TE28F128P33B85A详情
Micron Technology Inc. TE28F128P33B85A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
表面安装
YES
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TC
包装
Tray
系列
StrataFlash™
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
56
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
锡铅
附加功能
可进行同步突发模式操作
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
2.3V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.5mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
28F128P33
引脚数量
56
JESD-30代码
R-PDSO-G56
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.3V
内存大小
128Mb 8M x 16
操作模式
ASYNCHRONOUS
时钟频率
40MHz
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
8MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
85ns
记忆密度
134217728 bit
访问时间(最大)
85 ns
编程电压
3V
引导模块
BOTTOM
长度
18.4mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
14mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
TE28F128P33B85A拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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