1N5529C详情
Microsemi 1N5529C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package Description
O-LALF-W2
Package Style
长式
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
GLASS
Operating Temperature-Min
-65 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Reference Voltage-Nom
9.1 V
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
1N5529C
Power Dissipation (Max)
0.48 W
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Microsemi Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.14
Part Package Code
DO-35
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
LOW LEAKAGE CURRENT, LOW ZENER NOISE, LOW ZENER IMPEDANCE, LOW VOLTAGE AVALANCHE
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
电压基准二极管
技术
AVALANCHE
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
2
JESD-30代码
O-LALF-W2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
箱体转运
ISOLATED
最大电压允差
2%
JEDEC-95代码
DO-204AH
工作测试电流
1 mA
反向电流-最大值
0.1 µA
动态阻抗-最大值
45 Ω
1N5529C拓展信息
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi








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