1N5809E3详情
Microsemi 1N5809E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
ECCN (US)
EAR99
HTS
8541.10.00.80
Maximum DC Reverse Voltage (V)
110
Peak Reverse Repetitive Voltage (V)
100
Maximum Continuous Forward Current (A)
6
Peak Non-Repetitive Surge Current (A)
125
Peak Forward Voltage (V)
0.875@4A
Peak Reverse Current (uA)
5
Peak Reverse Recovery Time (ns)
30
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
175
Supplier Temperature Grade
Commercial
AEC Qualified
无
Supplier Package
B型壳体
Mounting
通孔
Package Length
7.62(Max)
PCB changed
2
Package Description
ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, B PACKAGE-2
Package Style
长式
Package Body Material
GLASS
Operating Temperature-Min
-65 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
1N5809E3
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Microsemi Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Forward Voltage-Max (VF)
0.875 V
Risk Rank
5.11
包装
Bag
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
类型
开关二极管
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
应用
超快恢复能力
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.80
技术
AVALANCHE
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
JESD-30代码
O-LALF-W2
配置
Single
二极管类型
接收电极
箱体转运
ISOLATED
输出电流-最大值
3 A
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
100 V
最大非代表Pk前进电流
125 A
反向电流-最大值
5 µA
反向恢复时间-最大值
0.03 µs
直径
3.61(Max)
RoHS状态
是,有豁免
1N5809E3拓展信息
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi









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