1N65L-TF3-T详情
Microsemi 1N65L-TF3-T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Drain Current-Max (ID)
1.2 A
Ihs Manufacturer
UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
Manufacturer
Unisonic Technologies Co Ltd
Manufacturer Part Number
1N65L-TF3-T
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Part Life Cycle Code
活跃
Part Package Code
TO-220AB
Risk Rank
5.59
Rohs Code
有
Turn-off Time-Max (toff)
85 ns
Turn-on Time-Max (ton)
80 ns
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.2 A
漏极-源极导通最大电阻
12.5 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
4.8 A
DS 击穿电压-最小值
650 V
雪崩能量等级(Eas)
50 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
21 W
反馈上限-最大值 (Crss)
4 pF
1N65L-TF3-T拓展信息








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