Microsemi APM2801BC-TRL

安装类型

表面贴装

包装/外壳

100-LQFP

表面安装

YES

供应商器件包装

100-TQFP (14x14)

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Memory Types

Volatile

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APM2801BC-TRL

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

American Power Devices Inc

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

ANPEC ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.76

Drain Current-Max (ID)

1.5 A

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

--

包装

Tray

零件状态

Obsolete

技术

SRAM - Dual Port, Synchronous

电压 - 供电

3 V ~ 3.6 V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

基本部件号

IDT70V9099

JESD-30代码

R-PDSO-G5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

内存大小

1Mb (128K x 8)

操作模式

增强型MOSFET

访问时间

12ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

晶体管应用

SWITCHING

写入周期时间 - 字符、页面

--

极性/通道类型

P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.19 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.83 W

反馈上限-最大值 (Crss)

45 pF

环境耗散-最大值

0.83 W