APT45GL100BN
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Microsemi APT45GL100BN

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型号

APT45GL100BN

品牌

Microsemi

utmel 编号

1619-APT45GL100BN

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

APT45GL100BN datasheet pdf and Integrated Circuits (ICs) product details from Microsemi stock available at utmel

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APT45GL100BN详情

Microsemi APT45GL100BN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    APT45GL100BN

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    60 ns

  • Turn-on Time-Max (ton)

    40 ns

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    20 ns

  • Turn-off Time-Max (toff)

    90 ns

  • Rise Time-Max (tr)

    130 ns

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Number of Elements

    1

  • Risk Rank

    5.92

  • JESD-609代码

    e0

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 附加功能

    低导通损耗

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-247

  • 最大耗散功率(Abs)

    200 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    45 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1000 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    3 V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    6 V

  • 环境耗散-最大值

    200 W

  • 最大下降时间 (tf)

    1000 ns

0个相似型号

APT45GL100BN拓展信息

1N4473US-TR
1N4473US-TR

Microsemi

1N5247BTRE3
1N5247BTRE3

Microsemi

1N5947CGE3
1N5947CGE3

Microsemi

1N5936DGE3
1N5936DGE3

Microsemi

1N5926AGE3
1N5926AGE3

Microsemi

1N5915AGE3
1N5915AGE3

Microsemi

1N5917AGE3
1N5917AGE3

Microsemi

1N5950CGE3
1N5950CGE3

Microsemi

1N5917DGE3
1N5917DGE3

Microsemi

1N5929CGE3
1N5929CGE3

Microsemi

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