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'apt50m75b2fll'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

终端数量

晶体管元件材料

厂商

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

包装

已出版

系列

JESD-609代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

电压 - 额定直流

最大功率耗散

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

Reach合规守则

额定电流

JESD-30代码

资历状况

配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

极性/通道类型

下降时间（典型值）

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

输入电容

DS 击穿电压-最小值

信道型

雪崩能量等级（Eas）

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

场效应管特性

最大rds

辐射硬化

RoHS状态

无铅

APT50M75B2FLLG

Microsemi Corporation

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

通孔

TO-247-3 Variant

3

T-MAX™ [B2]

21 ns

57A Tc

1

5V @ 2.5mA

Tube

1997

POWER MOS 7®

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

1 (Unlimited)

150°C

-55°C

500V

570W

57A

570W

8 ns

N-Channel

75mOhm @ 28.5A, 10V

5590pF @ 25V

125nC @ 10V

19ns

500V

3 ns

57A

30V

5.59nF

75 mΩ

无

符合RoHS标准

无铅

APT50M75B2FLL

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

3

SILICON

IN-LINE, R-PSIP-T3

5.71

57 A

1

150 °C

PLASTIC/EPOXY

RECTANGULAR

IN-LINE

未说明

APT50M75B2FLL

无

Transferred

ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

e0

Tin/Lead (Sn/Pb)

SINGLE

THROUGH-HOLE

未说明

unknown

R-PSIP-T3

不合格

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

SWITCHING

N-CHANNEL

57 A

0.075 Ω

228 A

500 V

2500 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

570 W

APT50M75B2FLLG

Microchip Technology

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

T-MAX-3

T-MAX™ [B2]

微芯片技术

通孔

1

0.208116 oz

57

Tube

APT50M75

57A (Tc)

活跃

5V @ 2.5mA

Tube

POWER MOS 7®

N-Channel

75mOhm @ 28.5A, 10V

5590 pF @ 25 V

125 nC @ 10 V

500 V

N

-