APTC60HM70SCT
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Microsemi APTC60HM70SCT

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型号

APTC60HM70SCT

品牌

Microsemi

utmel 编号

1619-APTC60HM70SCT

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

APTC60HM70SCT datasheet pdf and Integrated Circuits (ICs) product details from Microsemi stock available at utmel

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APTC60HM70SCT详情

Microsemi APTC60HM70SCT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    14

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    APTC60HM70SCT

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Risk Rank

    5.72

  • Drain Current-Max (ID)

    39 A

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Number of Elements

    4

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X14

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    39 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.07 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    156 A

  • DS 击穿电压-最小值

    600 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    1800 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    250 W

0个相似型号

APTC60HM70SCT拓展信息

1N4473US-TR
1N4473US-TR

Microsemi

1N5247BTRE3
1N5247BTRE3

Microsemi

1N5947CGE3
1N5947CGE3

Microsemi

1N5936DGE3
1N5936DGE3

Microsemi

1N5926AGE3
1N5926AGE3

Microsemi

1N5915AGE3
1N5915AGE3

Microsemi

1N5917AGE3
1N5917AGE3

Microsemi

1N5950CGE3
1N5950CGE3

Microsemi

1N5917DGE3
1N5917DGE3

Microsemi

1N5929CGE3
1N5929CGE3

Microsemi

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