FST6135D详情
Microsemi FST6135D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
P600, Axial
表面安装
NO
供应商器件包装
P600
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
Package
Bulk
厂商
MDE Semiconductor Inc
Product Status
活跃
Package Description
R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
FST6135D
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Microsemi Corporation
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Forward Voltage-Max (VF)
0.42 V
Risk Rank
5.84
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
30KPA
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
应用
通用型
HTS代码
8541.10.00.80
子类别
研磨二极管
技术
SCHOTTKY
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管类型
接收电极
箱体转运
阳极和阴极
电源线保护
无
电压 - 击穿
167.6V
功率 - 脉冲峰值
30000W (30kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
129.8A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
233.4V
电压 - 反向断态(典型值)
150V
输出电流-最大值
30 A
双向通道
1
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
35 V
电容@频率
-
最大非代表Pk前进电流
800 A
FST6135D拓展信息








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