Microsemi JANSR2N7272

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

8 A

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Manufacturer

Harris Semiconductor

Manufacturer Part Number

JANSR2N7272

Number of Elements

1

Package Body Material

METAL

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Part Life Cycle Code

Transferred

Risk Rank

5.76

ECCN 代码

EAR99

附加功能

辐射硬化

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

参考标准

MILITARY STANDARD (USA)

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-205AF

漏极-源极导通最大电阻

0.36 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR