UF8010L-TF3-T详情
Microsemi UF8010L-TF3-T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, No Lead
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
UF8010L-TF3-T
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Unisonic Technologies Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
Risk Rank
5.68
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
80 A
操作温度
-20°C ~ 70°C
系列
XPRESSO™ FXO-LC53
包装
Strip
尺寸/尺寸
0.203 L x 0.132 W (5.15mm x 3.35mm)
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
类型
XO (Standard)
电压 - 供电
3.3V
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
频率
200MHz
频率稳定性
±100ppm
输出量
LVDS
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
功能
Enable/Disable
基本谐振器
Crystal
最大电流源
100mA
电流 - 电源(禁用)(最大值)
--
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.015 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
320 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
310 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
座位高度(最大)
0.055 (1.40mm)
评级结果
--
UF8010L-TF3-T拓展信息








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