UFR9120L-TN3-T详情
Microsemi UFR9120L-TN3-T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
UFR9120L-TN3-T
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Unisonic Technologies Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
Risk Rank
5.61
Drain Current-Max (ID)
6.6 A
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6.6 A
漏极-源极导通最大电阻
0.48 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
26 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
100 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
40 W
反馈上限-最大值 (Crss)
70 pF
UFR9120L-TN3-T拓展信息








哦! 它是空的。