Microsemi VS12G422TDC-6

表面安装

NO

终端数量

22

Package Description

DIP, DIP22,.4

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

256

Package Body Material

CERAMIC

Package Equivalence Code

DIP22,.4

Access Time-Max

6 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

VS12G422TDC-6

Number of Words

256 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.88

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

SRAMs

技术

GAAS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-XDIP-T22

资历状况

不合格

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.3 mA

组织结构

256X4

输出特性

3-STATE

内存宽度

4

记忆密度

1024 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

SEPARATE

内存IC类型

缓存SRAM