MICROSEMI CORP APT60GF120JRD

表面安装

NO

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Operating Temperature (Max.)

150°C

Number of Elements

1

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

快速切换

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PUFM-X4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大耗散功率(Abs)

521W

接通时间

117 ns

集电极电流-最大值(IC)

115A

关断时间-标准值（toff)

890 ns

集电极-发射器电压-最大值

1200V

栅极-发射极电压-最大值

20V

RoHS状态

符合RoHS标准