Microsemi Corporation 2N3811

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-78-6 Metal Can

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Number of Elements

2

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Bulk

已出版

2007

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

350mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

引脚数量

8

JESD-30代码

O-MBCY-W8

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率 - 最大

350mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

250mV

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 1mA 5V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 100μA, 1mA

转换频率

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant