Microsemi Corporation APT15GT60BR
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APT15GT60BR
1604-APT15GT60BR
晶体管 - IGBT - 单个
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 PIN
1最小包装量--
APT15GT60BR详情
Microsemi Corporation APT15GT60BR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Rise Time-Max (tr)
18 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
258 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
24 ns
Number of Elements
1
Package Description
TO-247, 3 PIN
Part Package Code
TO-247
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Part Life Cycle Code
Transferred
Rohs Code
无
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-247
最大耗散功率(Abs)
125 W
集电极电流-最大值(IC)
30 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5 V
最大下降时间 (tf)
78 ns
APT15GT60BR拓展信息
Hangzhou Silan Microelectronics
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Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
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