APTMC120HRM40CT3G
APTMC120HRM40CT3G

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Microsemi Corporation APTMC120HRM40CT3G

  • 收藏
  • 对比

型号

APTMC120HRM40CT3G

utmel 编号

1619-APTMC120HRM40CT3G

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

SP3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Phase leg 1200V 34mOhm 179nC Dual Common Emitter Power Module MOSFET

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
APTMC120HRM40CT3G
APTMC120HRM40CT3G Microsemi Corporation Phase leg 1200V 34mOhm 179nC Dual Common Emitter Power Module MOSFET

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

APTMC120HRM40CT3G详情

Microsemi Corporation APTMC120HRM40CT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    Chassis Mount, Through Hole

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    SP3

  • 引脚数

    3

  • Number of Elements

    1

  • Turn Off Delay Time

    200 ns

  • Voltage Rated

    1200V 1.2kV

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    1997

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -40°C

  • 接通延迟时间

    110 ns

  • 上升时间

    45ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    1.2kV

  • 下降时间(典型值)

    40 ns

  • 晶体管类型

    2 N Channel (Phase Leg + Dual Common Emitter)

  • 连续放电电流(ID)

    64A

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    240W

  • 漏源电阻

    34mOhm

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: Microsemi Corporation APTMC120HRM40CT3G.

APTMC120HRM40CT3G拓展信息

APTMC120HR11CT3G
APTMC120HR11CT3G

Microsemi Corporation

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z