Microsemi Corporation JAN1N1186R
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JAN1N1186R
1619-JAN1N1186R
二极管 - 整流器 - 单
DO-203AB, DO-5, Stud
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DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
1最小包装量--
JAN1N1186R详情
Microsemi Corporation JAN1N1186R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
18 Weeks
底架
Stud
安装类型
Chassis, Stud Mount
包装/外壳
DO-203AB, DO-5, Stud
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
Operating Temperature (Max)
175°C
Operating Temperature (Min)
-65°C
Number of Elements
1
包装
Bulk
系列
Military, MIL-PRF-19500/297
已出版
1997
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
1
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
应用
POWER
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
UPPER
终端形式
SOLDER LUG
JESD-30代码
O-MUPM-D1
资历状况
Qualified
元素配置
Single
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard, Reverse Polarity
反向泄漏电流@ Vr
10μA @ 200V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.4V @ 110A
正向电流
35A
工作温度 - 结点
-65°C~175°C
相位的数量
1
峰值反向电流
10μA
最大重复反向电压(Vrrm)
200V
峰值非恢复性浪涌电流
500A
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
JAN1N1186R拓展信息
Microsemi
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