Microsemi Corporation JAN1N4133DUR-1
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JAN1N4133DUR-1
1619-JAN1N4133DUR-1
二极管 - 齐纳 - 单
DO-213AA (Glass)
大陆
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DIODE ZENER 87V DO213AA
1最小包装量--
JAN1N4133DUR-1详情
Microsemi Corporation JAN1N4133DUR-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
工厂交货时间
28 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
DO-213AA (Glass)
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
0.5W
操作温度
-65°C~175°C
包装
Bulk
系列
Military, MIL-PRF-19500/435
已出版
1999
容差
±1%
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
冶金结合
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
END
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500/435F
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
10nA @ 66.2V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1V @ 200mA
箱体转运
ISOLATED
阻抗-最大
1kOhm
参考电压
87V
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
87V
最大电压允差
1%
工作测试电流
0.25mA
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
JAN1N4133DUR-1拓展信息
Microsemi
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