Microsemi Corporation JAN1N4983D
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JAN1N4983D
1619-JAN1N4983D
二极管 - 齐纳 - 单
E, Axial
大陆
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DIODE ZENER 110V 5W AXIAL
1最小包装量--
JAN1N4983D详情
Microsemi Corporation JAN1N4983D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
E, Axial
表面安装
NO
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
5W
操作温度
-65°C~175°C
包装
Bulk
系列
Military, MIL-PRF-19500/356
已出版
2010
容差
±1%
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.50
终端形式
WIRE
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500/356H
JESD-30代码
O-LALF-W2
资历状况
Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
2μA @ 83.6V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.5V @ 1A
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
5W
阻抗-最大
125Ohm
参考电压
110V
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
110V
最大电压允差
1%
工作测试电流
12mA
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
JAN1N4983D拓展信息
Microsemi
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