Microsemi Corporation JAN1N4989DUS
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JAN1N4989DUS
1619-JAN1N4989DUS
二极管 - 齐纳 - 单
E-MELF
大陆
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DIODE ZENER 200V 5W D5B
1最小包装量--
JAN1N4989DUS详情
Microsemi Corporation JAN1N4989DUS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
E-MELF
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
5W
操作温度
-65°C~175°C
包装
Bulk
系列
Military, MIL-PRF-19500/356
已出版
2010
容差
±1%
JESD-609代码
e0
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
END
终端形式
环绕
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500/356H
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
Qualified
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
2μA @ 152V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.5V @ 1A
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
5W
阻抗-最大
500Ohm
参考电压
200V
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
200V
最大电压允差
1%
工作测试电流
5mA
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
JAN1N4989DUS拓展信息
Microsemi
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