Microsemi Corporation JAN1N5552US
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JAN1N5552US
1619-JAN1N5552US
二极管 - 整流器 - 单
SQ-MELF, B
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DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF
1最小包装量--
JAN1N5552US详情
Microsemi Corporation JAN1N5552US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SQ-MELF, B
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
包装
Bulk
系列
Military, MIL-PRF-19500/420
已出版
1997
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-65°C
应用
POWER
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
END
终端形式
环绕
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500/420G
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
Qualified
元素配置
Single
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
1μA @ 600V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2V @ 9A
箱体转运
ISOLATED
正向电流
5A
工作温度 - 结点
-65°C~175°C
输出电流-最大值
3A
平均整流电流(Io)
3A
相位的数量
1
反向恢复时间
2 μs
峰值反向电流
1μA
最大重复反向电压(Vrrm)
600V
峰值非恢复性浪涌电流
100A
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
JAN1N5552US拓展信息
Microsemi
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