Microsemi Corporation JAN1N5635
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JAN1N5635
1604-JAN1N5635
二极管 - 齐纳 - 单
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 9.72V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-13
1最小包装量--
JAN1N5635详情
Microsemi Corporation JAN1N5635重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Rohs Code
无
Power Dissipation (Max)
1 W
Package Style
长式
Package Shape
ROUND
Package Body Material
METAL
Number of Elements
1
Moisture Sensitivity Levels
1
Breakdown Voltage-Nom
12 V
Package Description
O-MALF-W2
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Part Life Cycle Code
Obsolete
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
参考标准
MIL-19500/500
JESD-30代码
O-MALF-W2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
跨压抑制二极管
箱体转运
CATHODE
Rep Pk反向电压-最大值
9.72 V
JEDEC-95代码
DO-13
最大非代表峰值转速功率Dis
1500 W
击穿电压-最小值
10.8 V
最大箝位电压
17.3 V
击穿电压-最大值
13.2 V
JAN1N5635拓展信息
Microsemi Corporation
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