Microsemi Corporation JAN1N5802URS
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JAN1N5802URS
1619-JAN1N5802URS
二极管 - 整流器 - 单
SQ-MELF, A
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DIODE GEN PURP 50V 1A APKG
1最小包装量--
JAN1N5802URS详情
Microsemi Corporation JAN1N5802URS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SQ-MELF, A
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
175°C
包装
Bulk
系列
Military, MIL-PRF-19500/477
已出版
1997
JESD-609代码
e0
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅过镍
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
END
终端形式
环绕
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
Qualified
配置
SINGLE
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
1μA @ 50V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
875mV @ 1A
箱体转运
ISOLATED
工作温度 - 结点
-65°C~175°C
输出电流-最大值
1A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
50V
平均整流电流(Io)
1A
反向恢复时间
25ns
Rep Pk反向电压-最大值
50V
电容@Vr, F
25pF @ 10V 1MHz
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
JAN1N5802URS拓展信息
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