Microsemi Corporation JAN1N6661US
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JAN1N6661US
1619-JAN1N6661US
二极管 - 整流器 - 单
SQ-MELF, A
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DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A
1最小包装量--
JAN1N6661US详情
Microsemi Corporation JAN1N6661US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SQ-MELF, A
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
Operating Temperature (Max)
175°C
Operating Temperature (Min)
-65°C
Number of Elements
1
包装
Bulk
系列
Military, MIL-PRF-19500/587
已出版
1999
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.10.00.70
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
资历状况
Qualified
元素配置
Single
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
50nA @ 225V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1V @ 400mA
箱体转运
ISOLATED
正向电流
500mA
工作温度 - 结点
-65°C~175°C
峰值反向电流
50nA
最大重复反向电压(Vrrm)
225V
JEDEC-95代码
DO-35
峰值非恢复性浪涌电流
5A
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
JAN1N6661US拓展信息
Microsemi
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