Microsemi Corporation JAN2N3960UB

包装/外壳

3-SMD, No Lead

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

已出版

2007

系列

Military, MIL-PRF-19500/399

包装

Bulk

操作温度

-65°C~200°C TJ

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡铅

最大功率耗散

400mW

端子位置

DUAL

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/399

JESD-30代码

R-CDSO-N3

配置

SINGLE

功率 - 最大

400mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

12V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 10mA 1V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 3mA, 30mA

集电极基极电压(VCBO)

20V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

辐射硬化

无