Microsemi Corporation JAN2N7370

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

3V

Current-Collector (Ic) (Max)

12A

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/624

已出版

2007

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

终端形式

PIN/PEG

引脚数量

3

JESD-30代码

S-MSFM-P3

资历状况

Qualified

极性

NPN

元素配置

Single

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

100W

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 6A 3V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 120mA, 12A

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant