Microsemi Corporation JANS2N5666U3
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JANS2N5666U3
1619-JANS2N5666U3
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
3-SMD, Flat Lead
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Trans GP BJT NPN 200V 5A 3-Pin SMD-0.5
1最小包装量--
JANS2N5666U3详情
Microsemi Corporation JANS2N5666U3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-SMD, Flat Lead
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
5A
Power Dissipation (Max)
1.5W
Number of Elements
1
操作温度
-65°C~200°C TJ
包装
Bulk
系列
Military, MIL-PRF-19500/455
已出版
2008
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
BOTTOM
参考标准
MIL-19500/455E
资历状况
Qualified
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
200V
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 1A 5V
最大集极截止电流
200nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 1A, 5A
集电极基极电压(VCBO)
250V
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
JANS2N5666U3拓展信息
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