Microsemi Corporation JANTX2N3739

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

底架

通孔

包装/外壳

TO-66

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

300V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~200°C TJ

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/402

已出版

2007

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最大功率耗散

20W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率耗散

20W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

300V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 250mA 10V

最大集极截止电流

100μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 25mA, 250mA

转换频率

10MHz

集电极基极电压(VCBO)

325V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant