Microsemi Corporation PLAD30KP33CAE3/TR
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PLAD30KP33CAE3/TR
1604-PLAD30KP33CAE3/TR
二极管 - 齐纳 - 单
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1
1最小包装量--
PLAD30KP33CAE3/TR详情
Microsemi Corporation PLAD30KP33CAE3/TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Package Description
S-PSSO-G1
Breakdown Voltage-Nom
38.65 V
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-65 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
Power Dissipation (Max)
2.5 W
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
S-PSSO-G1
资历状况
不合格
极性
BIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
跨压抑制二极管
Rep Pk反向电压-最大值
33 V
最大非代表峰值转速功率Dis
30000 W
击穿电压-最小值
36.7 V
最大箝位电压
53.3 V
击穿电压-最大值
40.6 V
PLAD30KP33CAE3/TR拓展信息
Microsemi Corporation
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California Micro Devices
Microsemi Corporation







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