MICROSS/On Semiconductor BZX85C5V1

生命周期状态

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工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

包装/外壳

Die

引脚数

2

供应商器件包装

Die

质量

245mg

Breakdown Voltage / V

12V

操作温度

-65°C~150°C

包装

Tray

系列

Automotive, AEC-Q101

容差

±5%

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终端

Axial

最高工作温度

200°C

最小工作温度

-65°C

额定功率

1W

电压 - 额定直流

5.1V

最大功率耗散

1W

工作电压

5.1V

阻抗

10Ohm

元素配置

Single

反向泄漏电流@ Vr

2μA @ 2V

功率耗散

1W

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

900mV @ 10mA

功率 - 最大

1W

最大反向漏电电流

1μA

阻抗-最大

60Ohms

测试电流

45mA

正向电压

1.2V

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

5.1V

齐纳电压

5.1V

峰值反向电流

1μA

电压允差

5%

ESD保护

无

齐纳电流

45mA

直径

2.72mm

高度

6.35mm

长度

5.2mm

宽度

6.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅