Mitsubishi FS10SM-10
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FS10SM-10
1645-FS10SM-10
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
--最小包装量--
FS10SM-10详情
Mitsubishi FS10SM-10重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
FS10SM-10
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三菱电机
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Risk Rank
7.83
Drain Current-Max (ID)
10 A
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
10 A
漏极-源极导通最大电阻
0.9 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
125 W
FS10SM-10拓展信息
Mitsubishi
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