Mitsubishi FY8ABJ-03
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FY8ABJ-03
1645-FY8ABJ-03
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1最小包装量--
FY8ABJ-03详情
Mitsubishi FY8ABJ-03重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
FY8ABJ-03
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三菱电机
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Risk Rank
7.28
Drain Current-Max (ID)
8 A
ECCN 代码
EAR99
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8 A
漏极-源极导通最大电阻
0.02 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
56 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
达到SVHC
unknown
FY8ABJ-03拓展信息







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