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MGF0906B-01

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Mitsubishi MGF0906B-01

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对比

型号

MGF0906B-01

品牌

utmel 编号

1645-MGF0906B-01

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-21, 2 PIN

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MGF0906B-01

MGF0906B-01 Mitsubishi RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-21, 2 PIN

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MGF0906B-01详情

技术参数

Mitsubishi MGF0906B-01重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

砷化镓
Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Package Style

FLANGE MOUNT
Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Operating Temperature-Max

175 °C
Manufacturer Part Number

MGF0906B-01
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

三菱电机
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Risk Rank

5.82
Drain Current-Max (ID)

3 A
ECCN 代码

EAR99
端子位置

DUAL
终端形式

FLAT
Reach合规守则

unknown
引脚数量

2
JESD-30代码

R-CDFM-F2
资历状况

不合格
配置

SINGLE
操作模式

DEPLETION MODE
箱体转运

SOURCE
晶体管应用

AMPLIFIER
极性/通道类型

N-CHANNEL
场效应管技术

半导体金属
最高频段

S带
环境耗散-最大值

23 W
功率增益-最小值(Gp)

10 dB

0个相似型号

MGF0906B-01拓展信息

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