Mitsubishi Electric CM200E3U-24F
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CM200E3U-24F
1645-CM200E3U-24F
晶体管 - IGBT - 单个
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
1最小包装量--
CM200E3U-24F详情
Mitsubishi Electric CM200E3U-24F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-XUFM-X5
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
通用开关
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
830 W
集电极电流-最大值(IC)
200 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
2.4 V
CM200E3U-24F拓展信息
Mitsubishi Electric
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Mitsubishi
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