Mitsubishi Electric FS10VS-10-T1
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FS10VS-10-T1
1645-FS10VS-10-T1
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220S, 3 PIN
1最小包装量--
FS10VS-10-T1详情
Mitsubishi Electric FS10VS-10-T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Part Package Code
TO-220S
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Drain Current-Max (ID)
10 A
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.9 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FS10VS-10-T1拓展信息
Mitsubishi Electric
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