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Mitsubishi Electric MGF0843G

Name: MGF0843G
Brand: Mitsubishi Electric
SKU: 1645-MGF0843G
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MGF0843G

品牌

Mitsubishi Electric

utmel 编号

1645-MGF0843G

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, GF-7, 2 PIN

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MGF0843G Mitsubishi Electric RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, GF-7, 2 PIN

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MGF0843G详情

技术参数

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Mitsubishi Electric MGF0843G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

氮化镓
Rohs Code

有
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

175 °C
Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
ECCN 代码

EAR99
HTS代码

8541.29.00.75
端子位置

DUAL
终端形式

FLAT
Reach合规守则

unknown
引脚数量

2
JESD-30代码

R-CDFM-F2
资历状况

不合格
配置

SINGLE
操作模式

DEPLETION MODE
箱体转运

SOURCE
晶体管应用

AMPLIFIER
极性/通道类型

N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值

120 V
场效应管技术

高电子迁移率
最高频段

S带
环境耗散-最大值

39 W

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MGF0843G拓展信息

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