Mitsubishi Electric MGF4963BL
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MGF4963BL
1645-MGF4963BL
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, P-Channel, High Electron Mobility FET
1最小包装量--
MGF4963BL详情
Mitsubishi Electric MGF4963BL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
砷化镓
Operating Temperature-Max
125 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Package Description
SMALL OUTLINE, S-XQSO-F4
Drain Current-Max (ID)
0.06 A
Number of Elements
1
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
QUAD
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
S-XQSO-F4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
P-CHANNEL
场效应管技术
高电子迁移率
最高频段
K带
环境耗散-最大值
0.05 W
功率增益-最小值(Gp)
11 dB
MGF4963BL拓展信息
Mitsubishi Electric
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