Mitsubishi Electric MGFS45V2735
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MGFS45V2735
1645-MGFS45V2735
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-38, 2 PIN
1最小包装量--
MGFS45V2735详情
Mitsubishi Electric MGFS45V2735重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
砷化镓
外壳材料
1
Gross Weight
5.08
Transport Packaging size/quantity
63*35*17/120
Enclosure
DIL14
Current consumption
20 mA
Rise/fall time
5 ns
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Package Description
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Drain Current-Max (ID)
8 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
系列
R-GAGE® K50R
包装
Box
操作温度
-40°C ~ 60°C
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
类型
Quartz Generator HCMOC/TTL
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Supply voltage
3.3 V
深度
20.4 mm
Reach合规守则
unknown
频率
20000 MHz
Frequency stability
+/- 25 ppm
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
输出类型
NPN, PNP
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
Operating temperature range
-40...+85 °C
传感器类型
雷达传感器
DS 击穿电压-最小值
10 V
场效应管技术
JUNCTION
最高频段
S带
环境耗散-最大值
150 W
高度
5.4 mm
宽度
12.8 mm
MGFS45V2735拓展信息
Mitsubishi Electric
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