Mitsubishi Electric QM50E2Y-H
- 收藏
- 对比
QM50E2Y-H
1645-QM50E2Y-H
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
--
大陆
立即发货

Description: Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 5 Pin
1最小包装量--
QM50E2Y-H详情
Mitsubishi Electric QM50E2Y-H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
ECCN 代码
EAR99
附加功能
内置偏置电阻
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PUFM-X5
资历状况
不合格
配置
DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
310 W
集电极电流-最大值(IC)
50 A
最小直流增益(hFE)
75
VCEsat-最大值
2 V
最大下降时间 (tf)
3000 ns
QM50E2Y-H拓展信息
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric







哦! 它是空的。