Mitsubishi Electric RD60HUF1C-501
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RD60HUF1C-501
1645-RD60HUF1C-501
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: RF Power Field-Effect Transistor,
1最小包装量--
RD60HUF1C-501详情
Mitsubishi Electric RD60HUF1C-501重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Date Of Intro
2019-06-19
Drain Current-Max (ID)
20 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-CDFM-F2
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
超高频段
RD60HUF1C-501拓展信息
Mitsubishi Electric
Mitsubishi Electric
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Mitsubishi
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