MONOLITHIC MEMORIES 63S481N

表面安装

NO

终端数量

20

Operating Temperature (Max.)

75°C

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

电源电压

5V

端子间距

2.54mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDIP-T20

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.25V

电源

5V

温度等级

商业扩展

电源电压-最小值(Vsup)

4.75V

操作模式

ASYNCHRONOUS

组织结构

512X8

内存宽度

8

记忆密度

4096 bit

访问时间（最大）

45 ns

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

OTP ROM

RoHS状态

Non-RoHS Compliant