MOTOROLA MTP1N45

安装类型

表面贴装

包装/外壳

16-VQFN Exposed Pad

表面安装

NO

供应商器件包装

16-QFN (4x4)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Logic voltage-VIL, VIH

--

Driver Configuration

Half-Bridge

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MTP1N45

Turn-on Time-Max (ton)

35 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

摩托罗拉半导体产品

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Turn-off Time-Max (toff)

65 ns

Risk Rank

7.68

Drain Current-Max (ID)

1 A

操作温度

-40°C ~ 125°C (TJ)

系列

--

包装

Tube

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

可提供引线框架选项

子类别

FET 通用电源

电压 - 供电

4.5 V ~ 5.5 V

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

基本部件号

ISL6610

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

输入类型

Non-Inverting

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

上升/下降时间(Typ)

8ns, 8ns

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1 A

漏极-源极导通最大电阻

8 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

4 A

DS 击穿电压-最小值

450 V

信道型

Synchronous

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

驱动器数量

4

最大耗散功率(Abs)

50 W

闸门类型

N-Channel MOSFET

峰值输出电流（源极，漏极）

-, 4A

高压侧电压-最大值(自举)

36V

反馈上限-最大值 (Crss)

10 pF

环境耗散-最大值

50 W

达到SVHC

unknown