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Motorola Semiconductor Products BU806

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型号

BU806

utmel 编号

1668-BU806

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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BU806 Motorola Semiconductor Products Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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BU806详情

Motorola Semiconductor Products BU806重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    MOTOROLA INC

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 附加功能

    可提供引线框架选项

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    NPN

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 最大耗散功率(Abs)

    60 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    8 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    200 V

  • VCEsat-最大值

    1.5 V

  • 环境耗散-最大值

    60 W

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技术文档: Motorola Semiconductor Products BU806.

BU806拓展信息

BD791
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MJE18002D2
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2N5209RLRE
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